| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 2 ترابایت | 2 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung 48-Layer MLC V-NAND | Micron 64L TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Polaris | SMI SM2262EN |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2100 مگابایت بر ثانیه | 2900 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 440,000IOPS | 410,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 360,000IOPS | 380,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | 2GB LP DDR3 | 2 MB NANYA DDR3 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 8 میلیوات * حالت DevSlp | 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 | - |
| سیستمعاملهای سازگار | - | ویندوز |
| قابلیتهای جانبی | - | الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلیثانیه |
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 3.8 * 22 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 9 گرم | 5.4 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| مجوزها و تاییدیهها | - | CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!