مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 480 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 5.4 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 87000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72000IOPS
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS 155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 63 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر -
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت