1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا

هایک ویژن VS KingSpec
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false بله
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتویات جعبه - SSD، مستندات
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه SATA M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

دِل VS هایک ویژن
ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 256 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS SATA
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 480 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 87000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 72000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد
وزن محصول - 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) ۳۲۰
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS پردیتور
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS ۹۷۴۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

هایک ویژن VS اچ پی
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

هایک ویژن VS اچ پی
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال HP Z Turbo ظرفیت 512 گیگابایت PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم ۳۴.۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - HP Z Turbo ۵۱۲GB PCIe-۴x۴ Z۴/Z۶ SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 5.4 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - Black, Green
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
VS
مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 87000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 72000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 1.5 * 80 * 22 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 5.4 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی - مشکی
مشاهده جزئیات مقایسه