مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS لکسار

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	34 گرم
کنترلر (Controller)	-	DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت / 1.6 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI,RCM
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS بلو

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	37.4 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS PNY

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	6.6 گرم
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سیگیت

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	47 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگ اسپک

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	35,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	57 گرم
کنترلر (Controller)	-	Marvell 88SS1074
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	8.5 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS لکسار

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	34 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS سیگیت

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	47 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سابرنت

ویژگی	هایک ویژن E100N SATA M.2 ظرفیت 1024 گیگابایت	سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1024 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	513 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	92000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	76000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 280 ترابایت (TBW)	260 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	2.25 وات * حالت خواندن ** 2.51 وات * حالت نوشتن ** 0.055 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 8 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	1.5 * 22 * 80 میلی‌متر	10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه