صفحه 12 از مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	SLC
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	59,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	68 گرم
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	545 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	535 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	91,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	68 گرم
کنترلر (Controller)	-	SandForce 2200
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS GIGABYTE

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	250,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS توین موس

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	270,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	550,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
کنترلر (Controller)	-	PHISON E19T
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS msi

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	950,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
کنترلر (Controller)	-	PHISON E21T
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS خودروسازی دی اس

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	52 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
مواد بدنه	-	پلاستیک
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
نشانگر وضعیت LED	-	true
محتویات جعبه	-	کابل USB نوع C به USB نوع C تبدیل USB نوع C به USB نوع A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایتبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS ای دیتا

ویژگی	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	60 گرم
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
مواد بدنه	-	پلاستیک
نشانگر وضعیت LED	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	13 * 59 * 88 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	98 گرم
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
نشانگر وضعیت LED	-	false
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	480,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	450,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ایکس پی جی

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	135,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	128,000IOPS	290,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	11 گرم
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه