1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 86 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سابرنت
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 260 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سیگیت
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS ترنسند
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
نشانگر وضعیت LED - false
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 70 گرم
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A58 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 360 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 63 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE / FCC / ROHS / BSMI / C-TICK / KC / EAC
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS ام جی
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 45 گرم
کنترلر (Controller) - Phison E12
نوع حافظه DRAM - DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ترنسند
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS وسترن دیجیتال
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND SanDisk BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 135,000IOPS 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS 85,000ّIOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 37.4 گرم
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1074
نوع حافظه DRAM - DDR3
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه