هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
مقایسه ویژگیها
نوع ذخیرهسازی
نوع ذخیرهسازی
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCI Express ۴.۰ |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | Yes |
مشخصات کلی
مشخصات کلی
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | - |
|---|
ویژگیهای فنی
ویژگیهای فنی
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | ۲ ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D TLC NAND | ۳D TLC NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2100 مگابایت بر ثانیه | ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 1800 مگابایت بر ثانیه | ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 135,000IOPS | ۵۶۰۰۰۰ IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 128,000IOPS | ۶۱۵۰۰۰ IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) | ۱۴۰۰ |
ویژگیهای عمومی
ویژگیهای عمومی
| میزان توان مصرفی | 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن | - |
|---|
توانمندیها
توانمندیها
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | - |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد | - |
| فناوری رمزنگاری | - | Yes |
ویژگیهای ظاهری
ویژگیهای ظاهری
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر | 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلیمتر) |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | ۱۰ گرم |
قابلیتها
قابلیتها
| مجوزها و تاییدیهها | - | UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE |
|---|
سلب مسئولیت: اطلاعات این صفحه ممکن است نیاز به بازبینی داشته باشد. در صورت مشاهده هرگونه مغایرت، لطفاً گزارش دهید
مقایسه امتیاز کاربران
هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
0
/10
از مجموع 1 رای
اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
0
/10
از مجموع 1 رای
پرسش و پاسخ درباره این مقایسه
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
پرسش شما پس از تایید نمایش داده خواهد شد
