مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر -
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 1000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 180,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.65 وات * حالت خواندن ** 1.8 وات * حالت نوشتن ** 0.48 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.1 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت