1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Crucial VS هایک ویژن
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 1025 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND 3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی -
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 512 MB
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 225,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
میزان توان مصرفی - کارآمد
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS KingSpec
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false بله
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
قابلیت‌های جانبی - تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
محتویات جعبه - SSD، مستندات
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

هایک ویژن VS Sandisk
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM false بله
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false بله
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم تقریباً 8.0 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis Controller
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
فناوری رمزنگاری - رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی - سیاه
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
میزان توان مصرفی - عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

هایک ویژن VS فیلیپس
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۳۸.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND QLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1025 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 225,000IOPS
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
وزن محصول - 7 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
VS
مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

مقایسه هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن DESIRE P NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1025 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 55,000IOPS ۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 225,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 120 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 7 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه