| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe Gen3x4 | PCIe Gen4x4 / NVMe 1.4 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | 3D NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 7000 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 1800 مگابایت بر ثانیه | 5500 مگابایت بر ثانیه |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| طول عمر متوسط | 2,000,000 (MTBF) ساعت | 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) |
| کنترلر (Controller) | - | PHISON E18 |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | - | 350,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | - | 700,000IOPS |
| نوع حافظه DRAM | - | DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش |
| محدوده دمای عملیاتی | - | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | مقاومت * برابر شوک ** میزان مقاومت شوک 1500G | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از دادهها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256bit |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, EAC, RCM, morocco, UKCA, RoHS | - |
|---|
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
| میزان توان مصرفی | - | حداکثر 6.6 وات هنگام استفاده ** 14 میلیوات * حالت Idle |
|---|
| اندازه و ابعاد | - | 2.15 * 22 * 80 میلیمتر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلیمتر با هیت سینک |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!