صفحه 3 از مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

GIGABYTE VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۸ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

GIGABYTE VS سی‌گیت

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

GIGABYTE VS لنوو

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

GIGABYTE VS لنوو

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۷.۲ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۶۰۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

GIGABYTE VS لنوو

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	No

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS GIGABYTE

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	430,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
وزن محصول	-	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

GIGABYTE VS کینگستون

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 (MTBF) ساعت	۴۸۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات * حالت خواندن ** 3.3 وات * حالت نوشتن ** 2.1 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه