صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	- 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	- 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	-
میزان توان مصرفی	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	430,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	NAND Flash
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	430,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	NAND Flash
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
میزان توان مصرفی	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	-	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	-	31 گرم
میزان توان مصرفی	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	13 × 59 × 88 میلی‌متر	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
وزن محصول	98 گرم	-
میزان توان مصرفی	-	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	430,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

خودروسازی دی اس VS گیگابایت

ویژگی	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - نرم‌افزار SSD Tool box
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، سبز	-
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	52 گرم	-
میزان توان مصرفی	-	- 3.5 وات در حالت خواندن - 3.3 وات در حالت نوشتن - 2.1 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	295,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	430,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	NAND Flash
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه