صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	-	31 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	5 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	- 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	-	- 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS خودروسازی دی اس

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	52 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	- نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	-	98 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	-
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	-	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.3 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	150,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	800 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه