| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 250 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2400 مگابایت بر ثانیه | 3400 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2100 مگابایت بر ثانیه | 1500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 130,000IOPS | 200,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 350,000IOPS | 350,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 (MTBF) ساعت | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) |
| کنترلر (Controller) | - | Samsung Phoenix |
| نوع حافظه DRAM | - | 512 MB LPDDR4 |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
| میزان توان مصرفی | 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلیوات * حالت Idle | 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرمافزار SSD Tool Box | - |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
| مجوزها و تاییدیهها | RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.3 * 22 * 80 میلیمتر | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | - | 8 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!