صفحه 7 از مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Phison PS5016-E16
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	5‎12 مگابایت DDR4
میزان توان مصرفی	-	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی	-	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS ام جی

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Silicon Motion SM2258
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	80,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	1GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

GIGABYTE VS مایکروسافت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
وزن محصول	-	68 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Phoenix
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	512 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS سیلیکون پاور

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Smart Response اینتل قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

GIGABYTE VS تروبایت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مواد بدنه	-	فلز
رنگ‌بندی	-	مشکی، طلایی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

GIGABYTE VS سیگیت

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS
وزن محصول	-	47 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	8 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

GIGABYTE VS Samsung

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	true	true
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	2GB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول	-	9 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

GIGABYTE VS ایکس انرژی

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	TLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC
وزن محصول	-	35 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

GIGABYTE VS وسترن دیجیتال

ویژگی	گیگابایت AORUS NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5016-E16	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	5‎12 مگابایت DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)	200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	5.9 وات * حالت خواندن ** 4.5 وات * حالت نوشتن ** 1‎3.21 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	دارای هیت‌سینک از جنس مس الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان نرم‌افزار SSD Tool Box	-
اندازه و ابعاد	11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
وزن محصول	-	7.5 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه