مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال 135396

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال 135396

نوع کاربری حافظه اینترنال SSD داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung Elpis Controller
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
حافظه DRAM true بله
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO
قابلیت پشتیبانی از NCQ false بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe 4.0
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
فناوری رمزنگاری - رمزگذاری AES 256 بیتی
رنگ‌بندی - سیاه
وزن محصول - تقریباً 8.0 گرم
محتویات جعبه - SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال 135398

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال 135398

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND آخرین حافظه NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 کنترلر با روکش نیکل
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال 135399

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال 135399

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 کنترلر اصلی با کیفیت بالا
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true بله
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true بله
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتویات جعبه - SSD، مستندات

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال 135397

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال 135397

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 2500 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND 3‎D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 500 MB
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - 512 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۹۲۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۹۷۴۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۷ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND ۳D TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۷.۷ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND QLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۵ V
وزن محصول - ۴۶ گرم

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND V-NAND TLC
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 2500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 850 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 5.900 وات * حالت خواندن ** 4500 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No