1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Phoenix Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 -
کنترلر (Controller) PS5018-E18 DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 NANYA DDR3
کنترلر (Controller) PS5018-E18 SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 600,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Elpis
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 8 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 13.4 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 -
کنترلر (Controller) PS5018-E18 -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 DDR4
کنترلر (Controller) PS5018-E18 Silicon Motion SM2267EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ایکس پی جی
ویژگی

گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه آلومینیوم ، نانوکربن -
وزن محصول - 11 گرم
میزان توان مصرفی 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت از نوع DDR4 DDR3L
کنترلر (Controller) PS5018-E18 SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه