صفحه 9 از مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E21T
میزان توان مصرفی - 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
میزان توان مصرفی - حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 650,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - 2 MB DDR4
میزان توان مصرفی - حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 128 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 180,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - NAND Flash
میزان توان مصرفی - 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1,200,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول حدود 8 گرم 660 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 96L TLC
کنترلر (Controller) - Phison E13T
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 256,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 250 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - DM620

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول حدود 8 گرم 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
میزان توان مصرفی - 11.5 W
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10، 11 ** مک OS X

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت