مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND -
کنترلر (Controller) SandForce 2281 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2130 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 1720 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم حدود 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 260 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D QLC NAND

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D MLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND -
کنترلر (Controller) SandForce 2281 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2130 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1720 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 220,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک ** لینوکس -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم حدود 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2130 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1720 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم حدود 8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC
میزان توان مصرفی - 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 2GB LP DDR3
میزان توان مصرفی - 5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2130 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1720 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول حدود 8 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا Premier Pro SP900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC NAND -
کنترلر (Controller) SandForce 2200 -
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 2130 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 535 مگابایت بر ثانیه 1720 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 91,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 0.9 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم حدود 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد