صفحه 5 از مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2.4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

فدک مموری VS سیلیکون پاور

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	46 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.3 و بالاتر لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه	-	پلاستیک
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

فدک مموری VS ویکومن

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	55 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

فدک مموری VS ام جی

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ L3 EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	240 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	470 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد و دمای 0 تا 55 جه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	TLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

فدک مموری VS توین موس

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	76,800IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	74,240IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

فدک مموری VS وسترن دیجیتال

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	120,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	200 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D NAND
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فدک مموری VS ام جی

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	300,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

فدک مموری VS سیلیکون پاور

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	600,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1655 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Toshiba BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	-	Phison E12
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8.1 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

فدک مموری VS ام جی

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

فدک مموری VS Samsung

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	88,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	45 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Samsung MGX
نوع حافظه DRAM	-	256MB DDR3
میزان توان مصرفی	-	3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فدک مموری VS ترنسند

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

فدک مموری VS ام جی

ویژگی	فدک B5 SEREIS NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	128 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2130 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1720 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	100,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** دمای ذخیره سازی: 40 تا 85 *جه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	حدود 8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه