صفحه 4 از مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۳۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۴۶.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۷.۶۸ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۵۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۵۱.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر ۲.۵"
وزن محصول 8 گرم ۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - مشکی

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم ۱۶۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
محتویات جعبه - Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۲۵۰
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 8 گرم ۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۷.۲ گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS ۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS ۴۷۵۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) ۶۰۰
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA