مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 336 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 155 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - SMI
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز پلاستیک
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 350 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - 2Ch

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
نوع حافظه DRAM - DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 4300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 22110
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 38,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 20 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phoenix
نوع حافظه DRAM - Samsung 1.5 GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM