صفحه 12 از مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1000,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E18
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
فناوری رمزنگاری - AES 256bit

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,550,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung in-house Controller

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 260,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
وزن محصول 8 گرم 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - MAP1202
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
رنگ‌بندی - آبی

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 180,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 4500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 550,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 950,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E21T

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 230,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 3.5 وات در حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 10 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Flash
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 180,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 250,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 270,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 800,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - S4LV003
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1450 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 160,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 256 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2848 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS