مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 86 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC -
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 256 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 380,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 360,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 5.7 وات * حالت خواندن ** 4.8 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS -
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES -
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم 8 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 190,000IOPS
میزان توان مصرفی - حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection
مواد بدنه - فلز
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 350,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 51 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection -
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

داهوا E900 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور M55 SATA M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC SLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 190,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 128 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 2597 میلی‌وات هنگام استفاده ** 528 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** پشتیبانی از Garbage Collection پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox
مواد بدنه فلز -
اندازه و ابعاد 4.8 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false