مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	-	13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول	-	98 گرم
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

کروشیال VS ای دیتا

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	-	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کروشیال VS ای دیتا

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کروشیال VS ایکس پی جی

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	11 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	DDR3L
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کروشیال VS ای دیتا

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	-
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

کروشیال VS ای دیتا

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	DDR4
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه