مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black WDS250G2X0C NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTTF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, C-Tick
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 170,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 2.8 آمپر
میزان توان مصرفی - 0.11 وات به صورت میانگین ** 2.5 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 7.5 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 512MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول - 51 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA II NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba 64-Layer 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 12.9 * 23.4 * 80.1 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد - 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 100,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد - 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مواد بدنه - پلاستیک
اندازه و ابعاد - 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 46 گرم
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توشیبا Canvio Basic USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال -
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, BSMI, KC, RCM
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 160,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد - 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد - 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND SanDisk BiCS3 64L TLC
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Marvell 88SS1074
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 85,000ّIOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی - 60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
اندازه و ابعاد - 7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول - 37.4 گرم

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 110 (TBW) ترابایت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 320,000IOPS