| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | SATA 6Gb/s |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 2 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96L TLC | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
| کنترلر (Controller) | Phison E13T | Samsung MHX |
| نرخ خواندن ترتیبی | 2400 مگابایت بر ثانیه | 540 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 1800 مگابایت بر ثانیه | 520 مگابایت بر ثانیه |
| حافظه DRAM | ندارد | دارد |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTTBF) ** 300 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | - | 98,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | - | 90,000IOPS |
| نوع حافظه DRAM | - | 2GBLPDDR3 |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.4 * 22 * 80 میلیمتر | 6.8 * 69.85 * 100 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 20 گرم | 54.4 گرم |
| میزان توان مصرفی | - | 3.1 وات * حالت خواندن ** 3.6 وات * حالت نوشتن ** 70 میلیوات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
| نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده