| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 500 MB | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D TLC NAND | 3D TLC NAND |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 7000 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 5500 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 360,000IOPS | 360,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 390,000IOPS | 780,000IOPS |
| حافظه DRAM | ندارد | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانیتگراد | - |
| طول عمر متوسط | 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW) | 1,700,000 ساعت (MTBF) ** 700 ترابایت (TBW) |
| کنترلر (Controller) | - | Phison |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 6.5 وات * حالت نوشتن ** 6.2 وات * حالت خواندن |
| میزان توان مصرفی | حداکثر 90 میلیوات * حالت فعال ** 5 میلیوات * حالت استندبای | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | - |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| قابلیتهای جانبی | مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال | الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit |
| مجوزها و تاییدیهها | BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22 * 80 میلیمتر | 15 * 23 * 80 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 6.5 گرم | 34 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده