مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ VS کورسیر

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8.2 گرم
میزان توان مصرفی	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	530,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Toshiba 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا VS کورسیر

ویژگی	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8.2 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	220,000IOPS	485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	290,000IOPS	530,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	NANYA DDR3	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2262EN	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا VS کورسیر

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	8.2 گرم
میزان توان مصرفی	-	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	530,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ VS کورسیر

ویژگی	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8.2 گرم
میزان توان مصرفی	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	530,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Elpis	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا VS کورسیر

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)	3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)	8.2 گرم
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	191,000IOPS	485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	510,000IOPS	530,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1.92 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3800 مگابایت بر ثانیه	3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2800 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2267EN	Phison E12

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

کورسیر VS ای دیتا

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	31 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کورسیر VS ای دیتا

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Phison E12	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ

ویژگی	کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 صد و دمای 40 جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	485,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1.92 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3480 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E12	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه