1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 7.7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

Corsair VS PNY
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 3900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS -
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 4 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت
VS
مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

ای دیتا VS Corsair
ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1.92 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3480 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8.2 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - Phison E12
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 485,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 530,000IOPS
حافظه DRAM - true
نوع حافظه DRAM - DDR4
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung 48-Layer MLC V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung Polaris
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 330,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 512MB LP DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS سیگیت
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 47 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

Corsair VS Crucial
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Micron 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Silicon Motion SM2258XT
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 9 * 95 * 125 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

Corsair VS لکسار
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Micron 3D QLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 DM928
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت / 1.6 آمپر
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 336 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 34 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI,RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung 3-bit 2D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Samsung MGX
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM true true
نوع حافظه DRAM DDR4 256MB DDR3
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.2 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 3.84 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12.0 Gbps
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 3.84 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 Native SAS 3.0
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8.2 گرم 160 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

Corsair VS سیلیکون پاور
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS -
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8.2 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8.2 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایتبا سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

Corsair VS Samsung
ویژگی

کورسیر Force MP510 NVMe M.2 ظرفیت 1.92 ترابایت

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1.92 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2700 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 485,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 530,000IOPS 320,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3120 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7.1 * حالت خواندن ** 6.2 * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** کمتر از 2 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش تا 20G ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
اندازه و ابعاد 3 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 8.2 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه