مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 120 * 80 * 7 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 36 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 240 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 410 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Marvell

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Marvell Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 120 * 80 * 7 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 36 گرم
میزان توان مصرفی 5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 240 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 410 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Marvell

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) 120 * 80 * 7 میلی‌متر
وزن محصول 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک) 36 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 410 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Marvell

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) 120 * 80 * 7 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک) 36 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 191,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 510,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 240 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2800 مگابایت بر ثانیه 410 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN Marvell

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** لینوکس ** مک
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر 120 * 80 * 7 میلی‌متر
وزن محصول 11 گرم 36 گرم
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 410 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3L -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN Marvell

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Marvell Samsung Phoenix

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 9 گرم
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Marvell DM620

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Marvell Samsung Phoenix Controller

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی - مناسب گیمینگ ** قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی ** پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Marvell -

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) Marvell SMI SM2262EN

مقایسه بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

بایواستار S100 SATA 2.5 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 120 * 80 * 7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 36 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 250 MB
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 410 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Marvell Samsung Elpis