مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG Pyrite
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 400,000IOPS
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
طول عمر متوسط - 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW)

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت / 1.5 آمپر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 5.4 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
طول عمر متوسط - 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 4-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 97,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 89,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 2GB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 720 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.3 وات * حالت خواندن ** 3.1 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3.5 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سیگیت XBOX Series ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT Samsung MJX
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 90.000IOPS
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 880 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک ویندوز ** مک
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه - آلومینیوم
محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
قابلیت‌های جانبی محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 25 گرم 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED false -
طول عمر متوسط - 350 (TBW) ترابایت