صفحه 12 از مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	450 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز (7،8،8.1،10) مک OS لینوکس
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	100 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS وسترن دیجیتال

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	SanDisk BiCS3 64L TLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Marvell 88SS1074
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	95,000ّIOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	85,000ّIOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR3
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت

بایواستار VS وسترن دیجیتال

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	ASMedia ASM2364
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	14 * 62 * 118 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	115 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS لکسار

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	400 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	9.5 * 60 * 86 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	40.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	true
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1
محتویات جعبه	-	کابل USB Type-C به USB Type-A کابل USB Type-C به USB Type-C دفترچه راهنما

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

بایواستار VS Samsung

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	9 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS زاداک

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
طول عمر متوسط	-	1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, VCCI, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

بایواستار VS msi

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	PHISON E26
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	10000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول	25 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1,500,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 11 وات هنگام استفاده

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بایواستار VS کلو

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	پشتیبانی از SLC Cache قابلیت پایش دمای حافظه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, KCC, BSMI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

بایواستار VS PNY

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Toshiba 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 128-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

بایواستار VS msi

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	PHISON E18
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	9.7 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	1000,000IOPS
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش
طول عمر متوسط	-	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

بایواستار VS توین موس

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	SMI
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	-
وزن محصول	25 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	270,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

بایواستار VS کینگ مکس

ویژگی	بایواستار M700 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2263XT	Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1450 مگابایت بر ثانیه	1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز لینوکس مک	-
قابلیت‌های جانبی	محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	25 گرم	10 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	230,000IOPS
طول عمر متوسط	-	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	3.5 وات در حالت فعال

مشاهده جزئیات مقایسه