| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | SATA 6Gb/s |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 4 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96-Layer 3D TLC NAND | Samsung V-NAND 2-bit MLC |
| کنترلر (Controller) | InnoGrit IG5236 | Samsung MJX |
| نرخ خواندن ترتیبی | 7400 مگابایت بر ثانیه | 560 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 5500 مگابایت بر ثانیه | 530 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 740,000IOPS | 100.000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 740,000IOPS | 90.000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | دارد |
| نوع حافظه DRAM | DDR4 | 4 MB LPDDR4 |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW) |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 5 ولت |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 3.3 * 22 * 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلیمتر (با هیتسینک) | 6.8 × 69.85 × 100 ميلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 7 گرم (بدون هیتسینک) ** 10 گرم (با هیتسینک) | 62 گرم |
| میزان توان مصرفی | - | 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلیوات * حالت آماده باش ** 7 میلیوات * حالت DevSlp |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده