نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | 120 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96L 3D TLC NAND | - |
کنترلر (Controller) | Silicon Motion SM2267EN | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 3800 مگابایت بر ثانیه | 545 گیگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2800 مگابایت بر ثانیه | 435 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 191,000IOPS | 37,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 510,000IOPS | 63,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | DDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجهی سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW) | 1,000,000 ساعت (MTTF) |
میزان توان مصرفی | - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber | - 0.08 وات در حالت میانگین - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 0.01 وات در حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | دارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | - |
قابلیتهای جانبی | - | - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 4.9G لرزش در حالت غیرفعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC | FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) |
---|
اندازه و ابعاد | - 4.3 × 22 × 80 میلیمتر (با هیتسینک) - 3.3 × 22 × 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) | 1.5 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | - 10 گرم (با هیتسینک) - 6 گرم (بدون هیتسینک) | 6.46 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟