| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 512 MB | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Micron 96L 3D TLC NAND | 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Silicon Motion SM2267EN | - |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3800 مگابایت بر ثانیه | 2100 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2800 مگابایت بر ثانیه | 1800 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 191,000IOPS | 135,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 510,000IOPS | 128,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | DDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW) | 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 640 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber | 5.9 وات * حالت خواندن ** 6.1 وات * حالت نوشتن |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | - |
| قابلیتهای جانبی | - | مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد |
| مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 4.3 * 22 * 80 میلیمتر (با هیتسینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) | 2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 10 گرم (با هیتسینک) ** 6 گرم (بدون هیتسینک) | 8 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!