| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCI Express ۵.۰ |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | Yes |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | - |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | ۲ ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND | ۳D NAND |
| کنترلر (Controller) | Phison E12 | - |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2600 مگابایت بر ثانیه | ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 450,000IOPS | ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 400,000IOPS | ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | - |
| نوع حافظه DRAM | NANYA DDR3L | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | ۰ تا ۷۰ درجه سانتیگراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1,660 ترابایت (TBW) | ۱۴۸۰ |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | - |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | - |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | - |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG Pyrite | Yes |
| سیستمعاملهای سازگار | ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر | - |
| قابلیتهای جانبی | الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه | - |
| اندازه و ابعاد | 3.8 * 22 * 80 میلیمتر | 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلیمتر) |
|---|---|---|
| وزن محصول | 6 گرم | ۱۲ گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
|---|
| مجوزها و تاییدیهها | - | BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!