| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 512 MB | 256 MB |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung TLC V-NAND | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | S4LV003 | RTS5766DL |
| نرخ خواندن ترتیبی | 6900 مگابایت بر ثانیه | 2400 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 1800 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی دادهها | 800,000IOPS | 200,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 800,000IOPS | 150,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | - | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
| طول عمر متوسط | - | 1,500,000 (MTBF) ساعت |
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | ندارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | - | AES 256-bit |
| قابلیتهای جانبی | - | الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** سازگار با ما*بوردهای اینتل و AMD ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی از نرمافزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه |
| مجوزها و تاییدیهها | RoHS | - |
|---|
| اندازه و ابعاد | 2.38 * 22 * 80 میلیمتر | 3.13 * 22 * 80 میلیمتر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلیمتر (بدون هیت سینک) |
|---|---|---|
| وزن محصول | - | 9 گرم (با هیت سینک) ** 6.2 گرم (بدون هیت سینک) |
| نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
|---|
هنوز پرسشی درباره این مقایسه ثبت نشده است.
اولین نفری باشید که پرسش خود را مطرح میکند!
نظرات برگزیده