صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 31 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 -

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 8 گرم - 10 گرم (با هیت‌سینک) - 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت Slumber
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 DDR4
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 Silicon Motion SM2267EN

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 Samsung Phoenix Controller

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 -
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 DM620

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 Samsung In-House Controller

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S10 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - نرم‌افزار SSD ToolBox - نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Intel 384Gb 32-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1370 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 810 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR3 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2260 Samsung Phoenix