صفحه 2 از مقایسه ماینر

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	3360 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتر
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینرM21

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینرM21

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با میکرو بی تی واتس ماینرM21

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	میکرو بی تی واتس ماینرM21
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	200 در 300 در 440 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	7.15 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	31Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	1860 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	12 نانومتری
مدل تراشه	-	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	8.45 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با ایبنگ Ebit E12 PLUS

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با ایبنگ Ebit E12 PLUS

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	ایبنگ Ebit E12 PLUS
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	2500 وات
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 لت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	11.36 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	بیت مین انت ماینرر T17e 53Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/11
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	11.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	53Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	2915 وات
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	13.25 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	80 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر S17 56Th

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر S17 56Th

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با بیت مین انت ماینرر S17 56Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	بیت مین انت ماینرر S17 56Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/04
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	178 در 296 در 298 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	9.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	2520 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	7 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	144
مدل تراشه	-	BM1397
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	11.45 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	82 ئسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 1066

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 1066

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 1066

اینوسیلیکون VS کنان

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	کنان AvalonMiner 1066
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	-
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-35 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-90 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	195 در 292 در 331 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	11.4 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	740 وات	3250 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	342
مدل تراشه	-	A3205
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	14.77 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	اینترنت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 921

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 921

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh با کنان AvalonMiner 921

اینوسیلیکون VS کنان

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 432Mh	کنان AvalonMiner 921
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2018/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-30- درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	150 در 136 در 370 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	6 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	432Mh/s	-
میزان توان مصرفی	740 وات	1700 وات
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	7 نانومتر
مدل تراشه	-	A3207
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	3.36 آمپر	7.72 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	70 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

1
2