صفحه 87 از مقایسه ارز دیجیتال

در این صفحه 15 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ایبنگ Ebit E10 با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

ویژگی	ایبنگ Ebit E10	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/02	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	10-40- درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	146 در 189 در 418 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	9.8 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	18Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1650 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتری	12 نانومتر
تعداد چیپست‌ها	280	-
مدل تراشه	DW1228	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	7.5 آمپر	15.27 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 485Mh با بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 485Mh	بیت مین انت ماینرر S19 Pro 110Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2020/05
اتصالات موجود	اینترنت	ایترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	195 در 290 در 370 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	13 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	485Mh/s	110Th/s
میزان توان مصرفی	850 W	3250 W
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 وولت
میزان جریان مصرفی	3.86 آمپر	14.77 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A10 ETHMaster 485Mh با بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون A10 ETHMaster 485Mh	بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/09	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	125 در 155 در 360 میلی‌متر	135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول	5.4 کیلوگرم	4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	485Mh/s	13.5Th/s
میزان توان مصرفی	850 W	1310 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	-	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	189
مدل تراشه	-	BM1387
مقدار ولتاژ	12 ولت	11.60-13.00 ولت
میزان جریان مصرفی	3.86 آمپر	5.95 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون A8C CryptoMaster با ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ

ویژگی	اینوسیلیکون A8C CryptoMaster	ایبنگ Ebit E12 PLUS
تعداد فن‌ها	2 ولت	-
تاریخ عرضه رسمی	2018/05	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	123 در 155 در 275 میلی‌متر	215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول	2.64 کیلوگرم	10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	80kh/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	175 W	2500 W
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 لت
میزان جریان مصرفی	0.79 آمپر	11.36 آمپر
میزان نویز	70 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S17+ 73Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/12
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	11 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	73Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	2920 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	13.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر T17e 53Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر T17e 53Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/11
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	11.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	53Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	2915 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	13.25 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	80 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر T17+ 64Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/12
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	175 در 298 در 304 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	10 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	64Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	3200 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	14.54 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S9k 13.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	135 در 158 در 350 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	4.2 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	13.5Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	1310 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	189
مدل تراشه	FinFET	BM1387
مقدار ولتاژ	12 ولت	11.60-13.00 ولت
میزان جریان مصرفی	-	5.95 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S17 56Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S17 56Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/04
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	178 در 296 در 298 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	9.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	2520 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	7 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	144
مدل تراشه	FinFET	BM1397
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	11.45 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	82 ئسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S11 20.5Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2018/11
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	176 در 221 در 279 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	6.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	20.5Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	1530 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	6.95 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	ایبنگ Ebit E12 PLUS
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	2500 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	-
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 لت
میزان جریان مصرفی	-	11.36 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با میکرو بی تی واتس ماینرM21

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	میکرو بی تی واتس ماینرM21
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/08
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-40 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	200 در 300 در 440 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	7.15 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	31Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	1860 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	12 نانومتری
مدل تراشه	FinFET	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	8.45 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با میکرو بی تی واتس ماینر M21S

اینوسیلیکون VS میکرو بی تی

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	میکرو بی تی واتس ماینر M21S
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/06
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	155 در 240 در 390 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	12.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	56Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	3360 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	12 نانومتر
مدل تراشه	FinFET	TSMC
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	15.27 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T2 Turbo با بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th

اینوسیلیکون VS بیت مین

ویژگی	اینوسیلیکون T2 Turbo	بیت مین انت ماینرر S9 SE 16Th
تاریخ عرضه رسمی	2018/08	2019/07
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	0-85 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
نسخه سیستم‌عامل	9 آمپر	-
اندازه و ابعاد	150 در 180 در 400 میلی‌متر	129 در 200 در 321 میلی‌متر
وزن محصول	7.5 کیلوگرم	4.56 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	24Th/s	16Th/s
میزان توان مصرفی	1980 W	1280 W
اندازه لیتوگرافی تراشه	10 نانومتر	16 نانومتری
تعداد چیپست‌ها	-	180
مدل تراشه	FinFET	-
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 ولت
میزان جریان مصرفی	-	5.81 آمپر
میزان نویز	72 دسی‌بل	76 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اینوسیلیکون T3+ 57T با ایبنگ Ebit E12 PLUS

اینوسیلیکون VS ایبنگ

ویژگی	اینوسیلیکون T3+ 57T	ایبنگ Ebit E12 PLUS
تاریخ عرضه رسمی	2019/09	2019/09
اتصالات موجود	اینترنت	اینترنت
محدوده دمای کاری	5-40 درجه‌ی سانتیگراد	5-45 درجه‌ی سانتیگراد
محدوده رطوبت کاری	5-95 درصد	5-95 درصد
اندازه و ابعاد	203 در 305 در 278 میلی‌متر	215 در 196 در 310 میلی‌متر
وزن محصول	10.38 کیلوگرم	10.5 کیلوگرم
حداکثر توان پردازش هش	57Th/s	50Th/s
میزان توان مصرفی	3300 W	2500 W
مقدار ولتاژ	12 ولت	12 لت
میزان جریان مصرفی	15	11.36 آمپر
میزان نویز	75 دسی‌بل	75 دسی‌بل

مشاهده جزئیات مقایسه