صفحه 7 از مقایسه زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3L -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG Pyrite -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا Ultimate SU650 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 450 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 40,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 75,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 50.8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZMTD512HAGL mSATA ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه mSATA 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 330 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1.9 آمپر -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.44 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 3.8 * 30 * 50.95 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه ای دیتا LEGEND 850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا LEGEND 850 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI SM2269XT -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ( لپ‌تاپ، کامپیوتر) ** 4600 مگابایت بر ثانیه (PS5) 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** سازگاری با پلی‌استیشن 5 ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, KC CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 3.13 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم با هیت سینک ** 7 گرم بدون هیت سینک -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس SMV32 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.5 وات * حالت فعال ** 0.5 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100.5 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 71 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 128,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ایمیشن A320 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1 آمپر -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 1.44 وات * حالت خواندن ** 3.42 وات * حالت نوشتن ** 0.3 وات * حالت آماده باش -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک ** لینوکس -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Imation Toolbox مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, RoHS CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 7 * 69 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 80 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اچ پی EX900 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) HP Custom SMI SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.52 وات * حالت فعال ** 0.68 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 5.4 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ MZ-DPC5120/0A2 ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فکتور مخصوص اپل 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) MLC 3D NAND
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
اندازه و ابعاد 13 * 8 * 1 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 30 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ خواندن ترتیبی - 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 51,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
نرخ نوشتن ترتیبی - 3200 مگابایت بر ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2267EN -
نرخ خواندن ترتیبی 3900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 740 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه