صفحه 7 از مقایسه زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سیلیکون پاور Velox V55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 420 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** نرم‌افزار SP Toolbox مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 63 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

توین موس SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 76,800IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 74,240IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 125 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, cTUVus, RoHS CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 10 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM991a NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 320,000IOPS -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد - 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر

مقایسه توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120 مگابایت بر ثانیه -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 155 مگابایت بر ثانیه -
حافظه DRAM false -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
رنگ‌بندی خاکستری، رزگلد -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد - 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) WD NVMe Architecture -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2900 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 540,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM SK Hynix DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2263XT -
نرخ خواندن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 100,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 75 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم -
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 22110 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 38,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM Samsung 1.5 GB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
مجوزها و تاییدیه‌ها پشتیبانی از WWN ** پشتیبانی از Garbage Collection ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 20 گرم -
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 4 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2,400 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت Idle ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 86 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258 -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 510 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 750EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 3-bit 2D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Samsung MGX -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 97,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS -
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM 256MB DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 70 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 3.7 وات به صورت میانگین ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

ویژگی

اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 128 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
اندازه و ابعاد 2.4 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI

مقایسه زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI CE, FCC, VCCI, BSMI
اندازه و ابعاد 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false