صفحه 13 از مقایسه توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND SLC
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 59,000IOPS
میزان توان مصرفی - 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس
وزن محصول - 68 گرم

مقایسه توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GBبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Micron 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SMI
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 3080 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 270,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS

مقایسه کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

کورسیر MP600 PRO XT NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,200,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
وزن محصول - 660 گرم

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
کنترلر (Controller) SMI Samsung in-house Controller
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 7450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,550,000IOPS
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI Phison PS5012-E12
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 1950 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 1550 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
میزان توان مصرفی - 3.5 وات در حالت فعال
وزن محصول - 10 گرم

مقایسه اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

اچ پی EX950 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Micron 64L TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SMI SM2262EN
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 650 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 3.1G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 410,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
نوع حافظه DRAM - 1 MB Micron DDR3
میزان توان مصرفی - 6.93 وات * حالت فعال ** 0.73 وات * حالت Idle
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM
وزن محصول - 5.4 گرم

مقایسه تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Micron 96L TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI Phison E12S
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
نوع حافظه DRAM - DDR3L
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 9 گرم

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI PHISON E19T
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 3600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI SMI SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI
وزن محصول - 7 گرم

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) SMI -
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 7100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 3000 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 11 * 23 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - سازگار با پلی‌استیشن 5 ** مک OS ایکس ** ویندوز 10
وزن محصول - 410 گرم

مقایسه ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

ای دیتا LEGEND 750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) SMI MAP1202
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** پشتیبانی از نرم‌افزار SSD Toolbox ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 3.1 * 22 * 80 میلی‌متر با هیت سینک ** 2.1 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 260,000IOPS
فناوری رمزنگاری - AES 256bit
رنگ‌بندی - آبی
وزن محصول - 9 گرم با هیت سینک ** 6.2 گرم بدون هیت سینک

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 512GB

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Samsung TLC V-NAND
کنترلر (Controller) SMI S4LV003
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
اندازه و ابعاد 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 800,000IOPS
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS