صفحه 11 از مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5013-E13 -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه -
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL

مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویکومن VC500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5013-E13 -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز (7،8،8.1،10) ** مک OS ** لینوکس
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 10 * 70 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 100 گرم
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 9.5 * 60 * 86 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 40.6 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل USB Type-C به USB Type-A ** کابل USB Type-C به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
کنترلر (Controller) - Phison PS5013-E13
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه

مقایسه سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سیلیکون پاور P34A80 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS3 64L TLC 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison E12 Phison PS5013-E13
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1655 (TBW) ترابایت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 8.1 و بالاتر ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, BSMI, Green dot, WEEE, RoHS, KCC -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ GX2 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5013-E13
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 200,000IOPS
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم

مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5013-E13 WD NVMe Architecture
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 540,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - SK Hynix DDR4
میزان توان مصرفی - 100 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.8 میلی‌وات * حالت استندبای
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 Phison PS5013-E13
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1000,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9.7 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) PHISON E18 Phison PS5013-E13
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 650,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB DDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256bit -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9.7 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP34 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Toshiba BiCS 3 64L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5013-E13 Phison E12
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 850 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS 200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 380 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 6 گرم 6 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3L
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG Pyrite

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) S4LV003 Phison PS5013-E13
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
وزن محصول - 6 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

تروبایت مدل PRO ظرفیت 120 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 120 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Phison PS5013-E13 -
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 16G لرزش * حالت فعال
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر -
وزن محصول 6 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مواد بدنه - فلز
رنگ‌بندی - مشکی، طلایی

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS 200,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5013-E13
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول - 6 گرم