صفحه 7 از مقایسه تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ای دیتا XPG SX900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 128 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	SandForce 2281	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	91,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	0.8 وات * حالت فعال ** 0.4 وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک لینوکس	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	68 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6 گرم
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

KingSpec VS ام جی

ویژگی	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
وزن محصول	-	6 گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3900 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 6800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC	-
اندازه و ابعاد	4 * 22 * 80 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

KingSpec VS ام جی

ویژگی	کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 512 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	mSATA	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D MLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 698 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 983 DCT NVMe M.2 ظرفیت 960 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 3.0 x4 / NVMe 1.2b	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 22110	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Phoenix	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	400,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	Samsung 1.5 GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1366 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	8 وات * حالت فعال ** 2.6 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	پشتیبانی از WWN پشتیبانی از Garbage Collection مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
اندازه و ابعاد	38 × 22 × 110.2 ميلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	6 گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8.5 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

PNY VS ام جی

ویژگی	پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	7500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6850 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	true	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 7 و بالاتر	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC) بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS	-
اندازه و ابعاد	20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی)	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2263XT
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	200,000IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 4-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	96,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	2.1 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 3 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	62 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung 48-Layer MLC V-NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	440,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	360,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	2GB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.8 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 8 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung VS ام جی

ویژگی	سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	تیم گروپ MP33 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3- bit MLC	Micron 96L 3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Samsung Polaris	Silicon Motion SM2263XT
نرخ خواندن ترتیبی	3200 مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	330,000IOPS	200,000IOPS
حافظه DRAM	true	false
نوع حافظه DRAM	512MB LP DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	6 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه