صفحه 2 از مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1600 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 340,000IOPS -
حافظه DRAM false -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 2.5 آمپر -
میزان توان مصرفی حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM -
اندازه و ابعاد 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
مشخصات حافظه فلش (Flash) - TLC 3D NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)
قابلیت‌های جانبی - نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۷ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC -
اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 8 گرم
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۸۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۸۸۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V 3.3 ولت / 2.5 آمپر
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۴۶ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۲.۶ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 256 MB
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 340,000IOPS
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 8 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D cMLC -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۴۵۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 8 گرم
رنگ‌بندی Black, Green -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی - 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS

اس کی هاینیکس PC611 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND -
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰۰۰ IOPS 230,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰۰ IOPS 340,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۸۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر) 2.23 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول ۱۲ گرم 8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA CE, FCC, RoHS, KCC, VCCI, TUV, RU, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 2.5 آمپر
میزان توان مصرفی - حداکثر 3.7 وات هنگام نوشتن و 50 میلی‌وات در حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
نشانگر وضعیت LED - false