صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

دِل VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۳.۲ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

msi VS سی‌گیت

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۷۵۰۰
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

آی‌استوریج VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۰۰۰۰۰۰ IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴ گرم	۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طول عمر متوسط	-	۱۷۵۰۰

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

برند نامشخص VS سی‌گیت

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۲۰۵ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

کینگ مکس VS سی‌گیت

ویژگی	کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D eTLC
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	-
نرخ خواندن ترتیبی	1950 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1550 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	230,000IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	۱۷۵۰۰
میزان توان مصرفی	3.5 وات در حالت فعال	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
اندازه و ابعاد	22 * 80 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	10 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

لنوو VS سی‌گیت

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول	-	۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه