صفحه 3 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۲۰۵ گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۴۸۰ ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, RoHS -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550Hبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۷۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) -
وزن محصول ۲۰۵ گرم -
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۲۰۵ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۲۰۵ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت ۳.۲ ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول - ۲۰۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550Hبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

میزان ظرفیت حافظه ۳.۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۷۵۰۰ ۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۲۰۵ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۳.۲ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۷۵۰۰
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 5550H

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت ۳.۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۴۷۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۱۷۵۰۰
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۲۰۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes