صفحه 58 از مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ T-Force CARDEA CERAMIC C440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	تیم گروپ T-Force CARDEA CERAMIC C440 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,700,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	4.75 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	135 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	4000 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	true
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

لکسار VS سی‌گیت

ویژگی	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258	-
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR3	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	480 (TBW) ترابایت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	34 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ای دیتا VS سی‌گیت

ویژگی	ای دیتا XPG SX6000 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Realtek RTS5763DL	-
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1500 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	240,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ پشتیبانی از SLC Cache و HMB مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سی‌گیت VS وسترن دیجیتال

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	TLC NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	1200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	1100,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1200 (TBW) ترابایت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	5.5 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
نرخ خواندن ترتیبی	-	7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	6600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 85 درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	پشتیبانی از ویندوز 8.1 به بالا
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با PlayStation® 5 ** نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
نشانگر وضعیت LED	-	true

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	تیم گروپ MP33 PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	200,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	6 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	Phison PS5013-E13
نرخ خواندن ترتیبی	-	2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1700 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 صد و دمای 40 جه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS مایکروسافت

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	درگاه اختصاصی
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	68 گرم
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	M.2
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ای دیتا Ultimate SU655 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ای دیتا VS سی‌گیت

ویژگی	ای دیتا Ultimate SU655 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	40,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	75,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 140 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم اصلاح خطا (ECC) نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility	-
اندازه و ابعاد	100.45 * 69.85 * 7 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	47.5 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	true	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Crucial VS سی‌گیت

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1400 مگابایت بر ثانیه	-
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	150 (TBW) ترابایت	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۲۸۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	-	۱۴ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پاتریوت Burst SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

پاتریوت VS سی‌گیت

ویژگی	پاتریوت Burst SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Phison S11	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	80,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	32 MB SDR	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 835 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه مدیریت مصرف برق	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, RoHS	-
اندازه و ابعاد	7 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	78.6 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	-
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	۳D cMLC
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	-
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	45 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000با تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سی‌گیت VS ام جی

ویژگی	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000	تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	SATA 6Gb/s
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	SATA
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D cMLC	3D NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۴۵۰۰۰ IOPS	70,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	60,000IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	1,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	۱۴ گرم	-
رنگ‌بندی	Black, Green	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2.5 اینچ
نرخ خواندن ترتیبی	-	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 7 و بالاتر مک OS نسخه 10.4 و بالاتر لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال پشتیبانی از کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کیوکسیا XG8 Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

کیوکسیا VS سی‌گیت

ویژگی	کیوکسیا XG8 Series NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	BiCS FLASH TLC	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از کش SLC	-
وزن محصول	6.6 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
اندازه و ابعاد	-	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه