صفحه 3 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

میزان ظرفیت حافظه ۱۵ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۶۵ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes Yes
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۸ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰ IOPS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

وزن محصول ۱۶۴ گرم ۱۶۵ گرم
اندازه و ابعاد ۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
محتویات جعبه Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه - ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) - ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی - ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
پورت اتصال حافظه - SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - No
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۶ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Phison PS5012-E12 -
نرخ خواندن ترتیبی 1950 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 230,000IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 3.5 وات در حالت فعال -
قابلیت پشتیبانی از NCQ true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
اندازه و ابعاد 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول 10 گرم ۱۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) PHISON E26 -
نرخ خواندن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 10000 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,500,000IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد -
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی حداکثر 11 وات هنگام استفاده -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) -
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

فناوری رمزنگاری Yes Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۰ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

برند نامشخص VS سی‌گیت
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۱۶۵ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۲۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung TLC V-NAND ۳D eTLC
کنترلر (Controller) S4LV003 -
نرخ خواندن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
نوع حافظه DRAM LPDDR4 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
طول عمر متوسط - ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۷ گرم ۱۶۵ گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

اس‌اس‌دی اینترنال سیگیت Nytro 3350

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS ۲۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت ۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - Yes