صفحه 6 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

برند نامشخص VS سی‌گیت
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۸۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول ۷.۵ گرم ۱۶۵ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

ویژگی

سامسونگ 990 Pro NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 2.0 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت ۸۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC ۳D eTLC
کنترلر (Controller) Samsung in-house Controller -
نرخ خواندن ترتیبی 7450 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6900 مگابایت بر ثانیه ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,400,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1,550,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM true -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Samsung Magician -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
وزن محصول 9 گرم ۱۶۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

ویژگی

گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 128 MB ۸۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 250,000IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 180,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
میزان توان مصرفی 2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

ویژگی

SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ SAS
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes No
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۸۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND ۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۷۰۰ -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۰۰۰۰۰ IOPS
وزن محصول - ۱۶۵ گرم

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت ۸۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC ۳D eTLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS ۱۶۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه Serial ATA III SAS
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No No
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true -
نرخ خواندن ترتیبی - ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه
وزن محصول - ۱۶۵ گرم
فناوری رمزنگاری - No

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531با اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال Seagate Enterprise Nytro 3531

اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

میزان ظرفیت حافظه ۸۰۰ گیگابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۱۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۹۵۰ مگابایت بر ثانیه ۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۶۵۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰ IOPS -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۵ * ۱۵ میلی‌متر) 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۶۵ گرم ۸ گرم
پورت اتصال حافظه SAS PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No Yes
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No Yes
طول عمر متوسط - ۲۵۰
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true